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公司簡介
公司介紹
董事會成員
管理團(tuán)隊(duì)
產(chǎn)品中心
PERC電池片激光設(shè)備
PERC激光開槽設(shè)備
D256多針點(diǎn)測機(jī)
晶圓劃片設(shè)備
晶圓點(diǎn)測-劃片一體機(jī)
高效柔性薄膜電池激光加工設(shè)備
散芯粒AOI分選設(shè)備
藍(lán)膜芯片AOI外觀檢測
裂片機(jī)
紫外激光玻璃切割設(shè)備
激光應(yīng)用
SE激光摻雜
激光銷蝕
激光邊緣隔離
硅晶圓切割
激光鉆孔
激光燒結(jié)
工作機(jī)會
新聞中心
聯(lián)系我們
English
硅晶圓切割是半導(dǎo)體芯片封裝的常用加工工藝。激光切割的關(guān)鍵指標(biāo)要求是高速和窄切割線。高頻、高能量的紅外脈沖光纖激光適用于這樣的應(yīng)用。
晶圓的厚度一般不超過250um，激光切割深度一般為晶圓厚度的1/3。
裂片通常是激光切割后的標(biāo)準(zhǔn)必要步驟。
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